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记忆体 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠
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记忆体 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠

笔电用记忆体需求动能强劲,甚至于 NAND 快闪记忆体已呈现缺货,让业界看好第四季 DRAM 与 NAND 快闪记忆体报价将大幅走扬,南韩三星与 SK 海力士有望受惠。

市调机构 DRAMeXchange 指出,个人电脑用 DRAM 合约价 9 月报 14.5 美元,上涨 7.4 个百分点,且拜全球笔电需求超出预期所赐,DRAMeXchange 看好 DRAM 第四季报价将冲到两年新高。(koreaherald.com)

NAND 快闪记忆体在此同时已有供给不足的状况,据 DRAMeXchange 预测,第四季嵌入式多晶片封装(eMCP)产品价格将上扬 10-15%。eMCP 可将 NAND 记忆体与其他晶片做整合。

据传,三星发展 64 层 NAND 快闪记忆体今年底将进入量产,其位在首尔南方 70 公里处的平泽厂(Pyeongtaek)已接近完工阶段,将成为扩充 NAND 快闪记忆体产能的即战力。另外,海力士也正积极扩充 NAND 产能,其股价 6 日早盘一度来到 2015 年 7 月以来新高。

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